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BLF6G10LS-200,112

BLF6G10LS-200,112

참조 용

부품 번호 BLF6G10LS-200,112
PNEDA 부품 번호 BLF6G10LS-200-112
설명 FET RF 65V 871.5MHZ SOT502B
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 7,326
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLF6G10LS-200 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLF6G10LS-200,112
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLF6G10LS-200, BLF6G10LS-200 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 99.49 KB)
PDFBLF6G10LS-200 데이터 시트 표지
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BLF6G10LS-200 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수871.5MHz
이득20.2dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)49A
소음 수치-
현재-테스트1.4A
전원-출력40W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-502B
공급자 장치 패키지SOT502B

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LDMOS

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이득

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전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

2.8µA

소음 수치

-

현재-테스트

700mA

전원-출력

172W

전압-정격

-

패키지 / 케이스

SOT-1271-2

공급자 장치 패키지

SOT1271-2

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

960MHz ~ 1.215GHz

이득

22dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

1.4µA

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

250W

전압-정격

106V

패키지 / 케이스

SOT-502E

공급자 장치 패키지

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제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

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트랜지스터 유형

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주파수

-

이득

20dB

전압-테스트

15V

전류 정격 (Amps)

10mA

소음 수치

2.5dB

현재-테스트

4mA

전원-출력

-

전압-정격

25V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

TO-92

SD3932

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

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주파수

123MHz

이득

26.8dB

전압-테스트

100V

전류 정격 (Amps)

20A

소음 수치

-

현재-테스트

250mA

전원-출력

425W

전압-정격

250V

패키지 / 케이스

M244

공급자 장치 패키지

M244

PTF180101S V1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

GOLDMOS®

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.99GHz

이득

19dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

1µA

소음 수치

-

현재-테스트

180mA

전원-출력

10W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

H-32259-2

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