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BLF6G15L-500H,112

BLF6G15L-500H,112

참조 용

부품 번호 BLF6G15L-500H,112
PNEDA 부품 번호 BLF6G15L-500H-112
설명 RF FET LDMOS 100V 16DB SOT539A
제조업체 Ampleon
단가
1 ---------- $4,196.9994
50 ---------- $4,000.2651
100 ---------- $3,803.5307
200 ---------- $3,606.7964
400 ---------- $3,442.8511
500 ---------- $3,278.9058
재고 있음 132
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BLF6G15L-500H 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLF6G15L-500H,112
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLF6G15L-500H, BLF6G15L-500H 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 1,480.67 KB)
PDFBLF6G15LS-500H 데이터 시트 표지
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BLF6G15L-500H 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual), Common Source
주파수1.45Ghz ~ 1.49GHz
이득16dB
전압-테스트50V
전류 정격 (Amps)45A
소음 수치-
현재-테스트1.3A
전원-출력65W
전압-정격100V
패키지 / 케이스SOT539A
공급자 장치 패키지SOT539A

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Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

3.4GHz ~ 3.6GHz

이득

14dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

16.5A

소음 수치

-

현재-테스트

450mA

전원-출력

9W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502A

공급자 장치 패키지

LDMOST

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.452GHz ~ 1.511GHz

이득

18.8dB

전압-테스트

31V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

1A

전원-출력

-

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

OM-1230-4L2S

공급자 장치 패키지

OM-1230-4L2S

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

pHEMT FET

주파수

3.55GHz

이득

10dB

전압-테스트

12V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

180mA

전원-출력

9W

전압-정격

15V

패키지 / 케이스

PLD-1.5

공급자 장치 패키지

PLD-1.5

PTFA210601EV4XWSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.14GHz

이득

16dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

550mA

전원-출력

12W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

H-36265-2

공급자 장치 패키지

H-36265-2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

TO-220-3

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