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BLF6G22-180RN,112

BLF6G22-180RN,112

참조 용

부품 번호 BLF6G22-180RN,112
PNEDA 부품 번호 BLF6G22-180RN-112
설명 RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502A
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 2,754
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 26 - 1월 31 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLF6G22-180RN 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLF6G22-180RN,112
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLF6G22-180RN, BLF6G22-180RN 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 1,053.48 KB)
PDFBLF6G22LS-180RN:11 데이터 시트 표지
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BLF6G22-180RN 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.11GHz ~ 2.17GHz
이득16dB
전압-테스트30V
전류 정격 (Amps)49A
소음 수치-
현재-테스트1.4A
전원-출력40W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-502A
공급자 장치 패키지LDMOST

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이득

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28V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

900mA

전원-출력

85W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

공급자 장치 패키지

H-30248-2

제조업체

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시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.17GHz

이득

18.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.4A

전원-출력

63W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-957A

공급자 장치 패키지

NI-780H-2L

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.4GHz ~ 2.5GHz

이득

14.1dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

50mA

전원-출력

53dBm

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

OM-780-2

공급자 장치 패키지

OM-780-2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

870MHz

이득

17.2dB

전압-테스트

12.5V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

16W

전압-정격

40V

패키지 / 케이스

PLD-1.5W

공급자 장치 패키지

PLD-1.5W

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

2.5GHz ~ 2.7GHz

이득

16.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

12A

소음 수치

-

현재-테스트

430mA

전원-출력

3W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1112B

공급자 장치 패키지

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