BLF6G22LS-100,112
참조 용
| 부품 번호 | BLF6G22LS-100,112 |
| PNEDA 부품 번호 | BLF6G22LS-100-112 |
| 설명 | RF FET LDMOS 65V 18.2DB SOT502B |
| 제조업체 | Ampleon |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,586 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BLF6G22LS-100 리소스
| 브랜드 | Ampleon |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BLF6G22LS-100,112 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
| 데이터 시트 |
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BLF6G22LS-100 사양
| 제조업체 | Ampleon USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS |
| 주파수 | 2.11GHz ~ 2.17GHz |
| 이득 | 18.2dB |
| 전압-테스트 | 28V |
| 전류 정격 (Amps) | 29A |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | 950mA |
| 전원-출력 | 25W |
| 전압-정격 | 65V |
| 패키지 / 케이스 | SOT-502B |
| 공급자 장치 패키지 | SOT502B |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 1.93GHz ~ 1.99GHz 이득 13dB 전압-테스트 26V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 850mA 전원-출력 18W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 SOT-957A 공급자 장치 패키지 NI-780H-2L |
제조업체 Ampleon USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS (Dual), Common Source 주파수 1.88GHz ~ 2.03GHz 이득 15dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 200mA 전원-출력 22.5W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 SOT1275-1 공급자 장치 패키지 DFM6 |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 1.09GHz 이득 21dB 전압-테스트 50V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 250mA 전원-출력 250W 전압-정격 100V 패키지 / 케이스 NI-780S 공급자 장치 패키지 NI-780S |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS (Dual) 주파수 1.99GHz 이득 20dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 1.25A 전원-출력 40W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 NI-780S-4 공급자 장치 패키지 NI-780S-4 |
