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BLF6G22LS-40P,112

BLF6G22LS-40P,112

참조 용

부품 번호 BLF6G22LS-40P,112
PNEDA 부품 번호 BLF6G22LS-40P-112
설명 RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1121B
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 4,860
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLF6G22LS-40P 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLF6G22LS-40P,112
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLF6G22LS-40P, BLF6G22LS-40P 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 1,747.48 KB)
PDFBLF6G22L-40P 데이터 시트 표지
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BLF6G22LS-40P 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual), Common Source
주파수2.11GHz ~ 2.17GHz
이득19dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)16A
소음 수치-
현재-테스트410mA
전원-출력13.5W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-1121B
공급자 장치 패키지LDMOST

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전류 정격 (Amps)

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소음 수치

-

현재-테스트

50mA

전원-출력

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전압-정격

40V

패키지 / 케이스

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

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LDMOS

주파수

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이득

16dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

500mA

전원-출력

7W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

SOT-957A

공급자 장치 패키지

NI-780H-2L

제조업체

CEL

시리즈

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주파수

20GHz

이득

13.5dB

전압-테스트

2V

전류 정격 (Amps)

15mA

소음 수치

0.7dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

-

전압-정격

4V

패키지 / 케이스

4-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

S03

VRF161

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

30MHz

이득

24dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

20A

소음 수치

-

현재-테스트

250mA

전원-출력

200W

전압-정격

170V

패키지 / 케이스

M174

공급자 장치 패키지

M174

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.11GHz ~ 2.17GHz

이득

13.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.2A

전원-출력

28W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-880

공급자 장치 패키지

NI-880

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