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BLF6G22LS-75,118

BLF6G22LS-75,118

참조 용

부품 번호 BLF6G22LS-75,118
PNEDA 부품 번호 BLF6G22LS-75-118
설명 RF FET LDMOS 65V 18.7DB SOT502B
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 3,294
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLF6G22LS-75 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLF6G22LS-75,118
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLF6G22LS-75, BLF6G22LS-75 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 845.35 KB)
PDFBLF6G22LS-75 데이터 시트 표지
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  • BLF6G22LS-75,118 Distributor

BLF6G22LS-75 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.11GHz ~ 2.17GHz
이득18.7dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)18A
소음 수치-
현재-테스트690mA
전원-출력17W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-502B
공급자 장치 패키지SOT502B

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NXP USA Inc.

시리즈

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LDMOS

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2.7GHz

이득

16.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.5A

전원-출력

23W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-957A

공급자 장치 패키지

NI-780H-2L

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

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트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

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이득

14.5dB

전압-테스트

26V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

550mA

전원-출력

9.5W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-400

공급자 장치 패키지

NI-400-240

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

3.4GHz ~ 3.6GHz

이득

14dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

450mA

전원-출력

8W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-400-240

공급자 장치 패키지

NI-400-240

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

225MHz

이득

25dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

2.6A

전원-출력

125W

전압-정격

110V

패키지 / 케이스

NI-1230

공급자 장치 패키지

NI-1230

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

1.8MHz ~ 470MHz

이득

24dB

전압-테스트

65V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

200mA

전원-출력

1800W

전압-정격

182V

패키지 / 케이스

SOT-979A

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