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BLF6G27S-45,112

BLF6G27S-45,112

참조 용

부품 번호 BLF6G27S-45,112
PNEDA 부품 번호 BLF6G27S-45-112
설명 RF FET LDMOS 65V 18DB SOT608B
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 3,294
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLF6G27S-45 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLF6G27S-45,112
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLF6G27S-45, BLF6G27S-45 데이터 시트 (총 페이지: 17, 크기: 1,337.48 KB)
PDFBLF6G27-45 데이터 시트 표지
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BLF6G27S-45 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.7GHz
이득18dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)20A
소음 수치-
현재-테스트350mA
전원-출력7W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-608B
공급자 장치 패키지CDFM2

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소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

30V

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

TO-236AB (SOT23)

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

2.03GHz

이득

16dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

400mA

전원-출력

20W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780S-4

공급자 장치 패키지

NI-780S-4

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

HFET

주파수

12GHz

이득

12dB

전압-테스트

2V

전류 정격 (Amps)

70mA

소음 수치

0.45dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

-

전압-정격

4V

패키지 / 케이스

SOT-343F

공급자 장치 패키지

M04

PTFB211803ELV1R250XTMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.17GHz

이득

17.5dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.3A

전원-출력

40W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

H-33288-6

공급자 장치 패키지

H-33288-6

MWT-A973

Microwave Technology Inc.

제조업체

Microwave Technology Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

MESFET

주파수

500MHz ~ 18GHz

이득

6.5dB

전압-테스트

3V

전류 정격 (Amps)

120mA

소음 수치

1.8dB

현재-테스트

30mA

전원-출력

24.5dBm

전압-정격

5V

패키지 / 케이스

Nonstandard SMD

공급자 장치 패키지

73

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