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BLF7G20L-250P,112

BLF7G20L-250P,112

참조 용

부품 번호 BLF7G20L-250P,112
PNEDA 부품 번호 BLF7G20L-250P-112
설명 RF FET LDMOS 65V 18DB SOT539A
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 8,244
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLF7G20L-250P 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLF7G20L-250P,112
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLF7G20L-250P, BLF7G20L-250P 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 1,375.17 KB)
PDFBLF7G20LS-250P 데이터 시트 표지
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BLF7G20L-250P 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual), Common Source
주파수1.81GHz ~ 1.88GHz
이득18dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)65A
소음 수치-
현재-테스트1.9A
전원-출력70W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT539A
공급자 장치 패키지SOT539A

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28V

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소음 수치

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현재-테스트

700mA

전원-출력

-

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100V

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

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STMicroelectronics

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트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

500MHz

이득

20dB

전압-테스트

7.5V

전류 정격 (Amps)

4A

소음 수치

-

현재-테스트

50mA

전원-출력

3W

전압-정격

25V

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

공급자 장치 패키지

PowerFLAT™ (5x5)

J309_D26Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel JFET

주파수

450MHz

이득

12dB

전압-테스트

10V

전류 정격 (Amps)

30mA

소음 수치

3dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

-

전압-정격

25V

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

SPF-3143

RFMD

제조업체

RFMD

시리즈

-

트랜지스터 유형

pHEMT FET

주파수

1.9GHz

이득

19.9dB

전압-테스트

5V

전류 정격 (Amps)

180mA

소음 수치

0.9dB

현재-테스트

40mA

전원-출력

17.7dBm

전압-정격

7V

패키지 / 케이스

SC-82A, SOT-343

공급자 장치 패키지

-

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.88GHz

이득

19.9dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1A

전원-출력

32W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780S-2L2LA

공급자 장치 패키지

NI-780S-2L2LA

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