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BLF7G22LS-130,112

BLF7G22LS-130,112

참조 용

부품 번호 BLF7G22LS-130,112
PNEDA 부품 번호 BLF7G22LS-130-112
설명 RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 5,436
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 26 - 3월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLF7G22LS-130 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLF7G22LS-130,112
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLF7G22LS-130, BLF7G22LS-130 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 1,164.96 KB)
PDFBLF7G22L-130 데이터 시트 표지
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BLF7G22LS-130 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.11GHz ~ 2.17GHz
이득18.5dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)28A
소음 수치-
현재-테스트950mA
전원-출력30W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-502B
공급자 장치 패키지SOT502B

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주파수

2.7GHz

이득

16.5dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

6.3A

소음 수치

-

현재-테스트

125mA

전원-출력

80W

전압-정격

150V

패키지 / 케이스

20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

20-TSSOP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

960MHz

이득

18dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

125mA

전원-출력

10W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

TO-270-2

공급자 장치 패키지

TO-270-2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

1.92GHz

이득

16.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

550mA

전원-출력

37W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI780-4

공급자 장치 패키지

NI-780-4

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel Dual Gate

주파수

400MHz

이득

30dB

전압-테스트

5V

전류 정격 (Amps)

30mA

소음 수치

1dB

현재-테스트

18mA

전원-출력

-

전압-정격

6V

패키지 / 케이스

SC-82A, SOT-343

공급자 장치 패키지

CMPAK-4

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.11GHz ~ 2.2GHz

이득

15.3dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

2.8µA

소음 수치

-

현재-테스트

810mA

전원-출력

87W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1258-7

공급자 장치 패키지

SOT-1258-7

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