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BLF8G10LS-160,118

BLF8G10LS-160,118

참조 용

부품 번호 BLF8G10LS-160,118
PNEDA 부품 번호 BLF8G10LS-160-118
설명 RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502B
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 7,902
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 4 - 11월 9 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLF8G10LS-160 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLF8G10LS-160,118
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLF8G10LS-160, BLF8G10LS-160 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 1,599.96 KB)
PDFBLF8G10L-160 데이터 시트 표지
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  • BLF8G10LS-160,118 Distributor

BLF8G10LS-160 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수920MHz ~ 960MHz
이득19.7dB
전압-테스트30V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트1.1A
전원-출력35W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-502B
공급자 장치 패키지SOT502B

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제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

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트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

2.11GHz ~ 2.17GHz

이득

19dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

16A

소음 수치

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현재-테스트

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전원-출력

13.5W

전압-정격

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패키지 / 케이스

SOT-1121B

공급자 장치 패키지

LDMOST

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

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트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

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이득

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28V

전류 정격 (Amps)

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전원-출력

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공급자 장치 패키지

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PTFA211801F V4 R250

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

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LDMOS

주파수

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이득

15.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

1.2A

전원-출력

35W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

공급자 장치 패키지

H-37260-2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

2.14GHz

이득

18.1dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.4A

전원-출력

48W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-1230

공급자 장치 패키지

NI-1230

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