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BLF8G20LS-160VJ

BLF8G20LS-160VJ

참조 용

부품 번호 BLF8G20LS-160VJ
PNEDA 부품 번호 BLF8G20LS-160VJ
설명 RF FET LDMOS 65V 20DB SOT1239B
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 3,078
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLF8G20LS-160VJ 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLF8G20LS-160VJ
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLF8G20LS-160VJ, BLF8G20LS-160VJ 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 945.44 KB)
PDFBLF8G20LS-160VU 데이터 시트 표지
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  • BLF8G20LS-160VJ Distributor

BLF8G20LS-160VJ 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수1.81GHz ~ 1.88GHz
이득20dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트800mA
전원-출력35.5W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-1239B
공급자 장치 패키지CDFM6

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LDMOS

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940MHz

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전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1A

전원-출력

39W

전압-정격

66V

패키지 / 케이스

NI-880

공급자 장치 패키지

NI-880

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Cree/Wolfspeed

시리즈

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LDMOS

주파수

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이득

21dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

900mA

전원-출력

150W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

공급자 장치 패키지

H-37248-2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

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트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.39GHz

이득

15.2dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.3A

전원-출력

28W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

NI-880S

공급자 장치 패키지

NI-880S

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.99GHz

이득

14.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

950mA

전원-출력

22W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

TO-270-4

공급자 장치 패키지

TO-270 WB-4

PD55003-E

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

500MHz

이득

17dB

전압-테스트

12.5V

전류 정격 (Amps)

2.5A

소음 수치

-

현재-테스트

50mA

전원-출력

3W

전압-정격

40V

패키지 / 케이스

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