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BLF8G20LS-200V

BLF8G20LS-200V

참조 용

부품 번호 BLF8G20LS-200V
PNEDA 부품 번호 BLF8G20LS-200V
설명 RF FET
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 2,106
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLF8G20LS-200V 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLF8G20LS-200V
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLF8G20LS-200V, BLF8G20LS-200V 데이터 시트 (총 페이지: 92, 크기: 15,253.29 KB)
PDFBLF8G27LS-140V 데이터 시트 표지
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BLF8G20LS-200V 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수1.8GHz ~ 2GHz
이득17.5dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)4.2µA
소음 수치-
현재-테스트1.6A
전원-출력200W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-1120B
공급자 장치 패키지LDMOST

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20mA

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

25V

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

957.5MHz

이득

36.2dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

60mA

전원-출력

6W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1212-2

공급자 장치 패키지

16-HSOP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

960MHz ~ 1.215GHz

이득

19.7dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

200µA

소음 수치

-

현재-테스트

200mA

전원-출력

-

전압-정격

110V

패키지 / 케이스

NI-780GS-2L

공급자 장치 패키지

NI-780GS-2L

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.14GHz

이득

17.9dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

970mA

전원-출력

34W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-957A

공급자 장치 패키지

NI-780H-2L

BLF10M6135U

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

871.5MHz ~ 891.5MHz

이득

21dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

950mA

전원-출력

26.5W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502A

공급자 장치 패키지

LDMOST

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