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BLF8G22LS-200GVJ

BLF8G22LS-200GVJ

참조 용

부품 번호 BLF8G22LS-200GVJ
PNEDA 부품 번호 BLF8G22LS-200GVJ
설명 RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244C
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 7,974
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 14 - 3월 19 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLF8G22LS-200GVJ 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLF8G22LS-200GVJ
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLF8G22LS-200GVJ, BLF8G22LS-200GVJ 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 1,173.45 KB)
PDFBLF8G22LS-200V 데이터 시트 표지
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BLF8G22LS-200GVJ 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.11GHz ~ 2.17GHz
이득19dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트2A
전원-출력55W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-1244C
공급자 장치 패키지CDFM6

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주파수

6GHz

이득

21dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

60mA

전원-출력

15W

전압-정격

125V

패키지 / 케이스

12-VFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

12-DFN (4x3)

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

860MHz

이득

19.3dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.4A

전원-출력

125W

전압-정격

130V

패키지 / 케이스

NI-1230S

공급자 장치 패키지

NI-1230S

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NXP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

857MHz ~ 863MHz

이득

17dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

17A

소음 수치

-

현재-테스트

800mA

전원-출력

180W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

NI-860C3

공급자 장치 패키지

NI-860C3

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

1.88GHz

이득

16dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

800mA

전원-출력

72W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1110A

공급자 장치 패키지

NI1230-8

PD85035A-E

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

870MHz

이득

15dB ~ 17dB

전압-테스트

13.6V

전류 정격 (Amps)

8A

소음 수치

-

현재-테스트

350mA

전원-출력

35W

전압-정격

40V

패키지 / 케이스

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)

공급자 장치 패키지

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