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BLF8G22LS-200V,118

BLF8G22LS-200V,118

참조 용

부품 번호 BLF8G22LS-200V,118
PNEDA 부품 번호 BLF8G22LS-200V-118
설명 RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244B
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 7,416
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 5 - 2월 10 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLF8G22LS-200V 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLF8G22LS-200V,118
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLF8G22LS-200V, BLF8G22LS-200V 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 1,173.45 KB)
PDFBLF8G22LS-200V 데이터 시트 표지
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BLF8G22LS-200V 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.11GHz ~ 2.17GHz
이득19dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트2A
전원-출력55W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-1244B
공급자 장치 패키지CDFM6

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.805GHz ~ 1.88GHz

이득

14.8dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

520mA

전원-출력

29W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

H-49248H-4

공급자 장치 패키지

H-49248H-4

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.93GHz

이득

16dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

610mA

전원-출력

12W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

TO-272-4

공급자 장치 패키지

TO-272 WB-4

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.62GHz

이득

16dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

500mA

전원-출력

7W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

SOT-957A

공급자 장치 패키지

NI-780H-2L

MRF154

M/A-Com Technology Solutions

제조업체

M/A-Com Technology Solutions

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

2MHz ~ 100MHz

이득

17dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

60A

소음 수치

-

현재-테스트

800mA

전원-출력

600W

전압-정격

125V

패키지 / 케이스

368-03

공급자 장치 패키지

368-03, Style 2

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.2GHz ~ 1.4GHz

이득

17dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

250W

전압-정격

100V

패키지 / 케이스

SOT-502B

공급자 장치 패키지

SOT502B

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