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BLF8G22LS-220J

BLF8G22LS-220J

참조 용

부품 번호 BLF8G22LS-220J
PNEDA 부품 번호 BLF8G22LS-220J
설명 RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 3,420
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLF8G22LS-220J 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLF8G22LS-220J
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLF8G22LS-220J, BLF8G22LS-220J 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 944.74 KB)
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  • BLF8G22LS-220J Distributor

BLF8G22LS-220J 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.11GHz ~ 2.17GHz
이득17dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트1.62A
전원-출력55W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-502B
공급자 장치 패키지SOT502B

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30dB

전압-테스트

5V

전류 정격 (Amps)

30mA

소음 수치

1dB

현재-테스트

18mA

전원-출력

-

전압-정격

6V

패키지 / 케이스

SC-82A, SOT-343

공급자 장치 패키지

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.93GHz ~ 1.99GHz

이득

14dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

750mA

전원-출력

12W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

TO-272BB

공급자 장치 패키지

TO-272 WB-4

2SK3756(TE12L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

470MHz

이득

12dB

전압-테스트

4.5V

전류 정격 (Amps)

1A

소음 수치

-

현재-테스트

200mA

전원-출력

32dBm

전압-정격

7.5V

패키지 / 케이스

TO-243AA

공급자 장치 패키지

SC-62

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

3.5GHz

이득

12dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

200W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502B

공급자 장치 패키지

SOT502B

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