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BLF8G27LS-140,112

BLF8G27LS-140,112

참조 용

부품 번호 BLF8G27LS-140,112
PNEDA 부품 번호 BLF8G27LS-140-112
설명 RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT502B
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 3,834
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 21 - 3월 26 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLF8G27LS-140 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLF8G27LS-140,112
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLF8G27LS-140, BLF8G27LS-140 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 1,146.17 KB)
PDFBLF8G27LS-140 데이터 시트 표지
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BLF8G27LS-140 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.62GHz ~ 2.69GHz
이득17.4dB
전압-테스트32V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트1.3A
전원-출력45W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-502B
공급자 장치 패키지SOT502B

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이득

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전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

2.8µA

소음 수치

-

현재-테스트

1.1A

전원-출력

580W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1258-7

공급자 장치 패키지

SOT-1258-7

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.7GHz ~ 3.1GHz

이득

14dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

2.8µA

소음 수치

-

현재-테스트

200mA

전원-출력

200W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1270-1

공급자 장치 패키지

SOT-1270-1

BF245A_D27Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel JFET

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

6.5mA

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

30V

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.88GHz

이득

17dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.1A

전원-출력

125W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

IXZH16N60

IXYS-RF

제조업체

IXYS-RF

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

1mA

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

350W

전압-정격

600V

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD

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