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BLL6H1214P2S-250Z

BLL6H1214P2S-250Z

참조 용

부품 번호 BLL6H1214P2S-250Z
PNEDA 부품 번호 BLL6H1214P2S-250Z
설명 RF FET LDMOS 50V 27DB MODULE
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 8,028
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 2 - 3월 7 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLL6H1214P2S-250Z 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLL6H1214P2S-250Z
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF

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BLL6H1214P2S-250Z 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual)
주파수1.2GHz ~ 1.4GHz
이득27dB
전압-테스트45V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트200mA
전원-출력53dBm
전압-정격50V
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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제조업체

Ampleon USA Inc.

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전압-정격

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패키지 / 케이스

SOT539A

공급자 장치 패키지

SOT539A

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제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

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트랜지스터 유형

N-Channel JFET

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

25mA

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

20V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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BF245B_J35Z

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel JFET

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

15mA

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

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패키지 / 케이스

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TO-92-3

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2GHz

이득

11dB

전압-테스트

13.6V

전류 정격 (Amps)

5A

소음 수치

-

현재-테스트

150mA

전원-출력

10W

전압-정격

40V

패키지 / 케이스

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)

공급자 장치 패키지

PowerSO-10RF (Formed Lead)

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

945MHz

이득

18dB

전압-테스트

26V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

450mA

전원-출력

60W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

TO-272-2

공급자 장치 패키지

TO-272-2

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