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BLM8G0710S-45ABGY

BLM8G0710S-45ABGY

참조 용

부품 번호 BLM8G0710S-45ABGY
PNEDA 부품 번호 BLM8G0710S-45ABGY
설명 RF FET LDMOS 65V 35DB SOT12122
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 6,504
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 25 - 11월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLM8G0710S-45ABGY 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLM8G0710S-45ABGY
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLM8G0710S-45ABGY, BLM8G0710S-45ABGY 데이터 시트 (총 페이지: 21, 크기: 1,890.26 KB)
PDFBLM8G0710S-45ABGY 데이터 시트 표지
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  • BLM8G0710S-45ABGY Distributor

BLM8G0710S-45ABGY 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual)
주파수957.5MHz
이득35dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트30mA
전원-출력3W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-1212-2
공급자 장치 패키지16-HSOP

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LDMOS

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28V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

1.2A

전원-출력

400W

전압-정격

70V

패키지 / 케이스

OM-1230-4L2S

공급자 장치 패키지

OM-1230-4L2S

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

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이득

18dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

36A

소음 수치

-

현재-테스트

1.3A

전원-출력

43W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502B

공급자 장치 패키지

SOT502B

PTFA142401FLV4XWSA1

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.5GHz

이득

16.5dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

2A

전원-출력

240W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

공급자 장치 패키지

H-34288-2

BLF521,112

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

500MHz

이득

13dB

전압-테스트

12.5V

전류 정격 (Amps)

1A

소음 수치

-

현재-테스트

10mA

전원-출력

2W

전압-정격

40V

패키지 / 케이스

SOT-172D

공급자 장치 패키지

CRDB4

2SK2854(TE12L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

849MHz

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

500mA

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

23dBmW

전압-정격

10V

패키지 / 케이스

TO-243AA

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