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BLP15M7160PY

BLP15M7160PY

참조 용

부품 번호 BLP15M7160PY
PNEDA 부품 번호 BLP15M7160PY
설명 RF FET LDMOS 65V 20DB SOT12232
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 17,688
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLP15M7160PY 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLP15M7160PY
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLP15M7160PY, BLP15M7160PY 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 991.05 KB)
PDFBLP15M7160PY 데이터 시트 표지
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BLP15M7160PY 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual), Common Source
주파수860MHz
이득20dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트100mA
전원-출력160W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-1223-1
공급자 장치 패키지4-HSOPF

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Ampleon USA Inc.

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28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.62A

전원-출력

55W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502A

공급자 장치 패키지

LDMOST

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

10mA

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

3V

패키지 / 케이스

SOT-143R

공급자 장치 패키지

SOT-143R

PD84008S-E

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

870MHz

이득

16.2dB

전압-테스트

7.5V

전류 정격 (Amps)

7A

소음 수치

-

현재-테스트

250mA

전원-출력

2W

전압-정격

25V

패키지 / 케이스

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

공급자 장치 패키지

PowerSO-10RF (Straight Lead)

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.99GHz

이득

16.1dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

900mA

전원-출력

22W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

2SK3079ATE12LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

470MHz

이득

13.5dB

전압-테스트

4.5V

전류 정격 (Amps)

3A

소음 수치

-

현재-테스트

50mA

전원-출력

33.5dBmW

전압-정격

10V

패키지 / 케이스

TO-271AA

공급자 장치 패키지

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