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BLP7G07S-140PY

BLP7G07S-140PY

참조 용

부품 번호 BLP7G07S-140PY
PNEDA 부품 번호 BLP7G07S-140PY
설명 RF FET LDMOS 65V 20.9DB SOT12231
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 8,262
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLP7G07S-140PY 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLP7G07S-140PY
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLP7G07S-140PY, BLP7G07S-140PY 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 978.64 KB)
PDFBLP7G07S-140P 데이터 시트 표지
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  • BLP7G07S-140PY Distributor

BLP7G07S-140PY 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual), Common Source
주파수724MHz ~ 769MHz
이득20.9dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트1.2A
전원-출력35W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-1223-1
공급자 장치 패키지4-HSOPF

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전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

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소음 수치

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현재-테스트

800mA

전원-출력

71W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

NI-1230-4LS2L

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Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

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트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

952.5MHz ~ 957.5MHz

이득

20.8dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

224mA

전원-출력

2.5W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

4-BESOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

4-HSOP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

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이득

13dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

2.2A

전원-출력

52W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-1230

공급자 장치 패키지

NI-1230

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

220MHz

이득

23.9dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

30mA

전원-출력

10W

전압-정격

110V

패키지 / 케이스

TO-270BA

공급자 장치 패키지

TO-270G-2

PXFC193808SVV1R250XTMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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