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BR24T256FV-WE2

BR24T256FV-WE2

참조 용

부품 번호 BR24T256FV-WE2
PNEDA 부품 번호 BR24T256FV-WE2
설명 IC EEPROM 256K I2C 8SSOPB
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 26,394
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 18 - 11월 23 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BR24T256FV-WE2 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BR24T256FV-WE2
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
BR24T256FV-WE2, BR24T256FV-WE2 데이터 시트 (총 페이지: 33, 크기: 554.88 KB)
PDFBR24T256FV-WE2 데이터 시트 표지
BR24T256FV-WE2 데이터 시트 페이지 2 BR24T256FV-WE2 데이터 시트 페이지 3 BR24T256FV-WE2 데이터 시트 페이지 4 BR24T256FV-WE2 데이터 시트 페이지 5 BR24T256FV-WE2 데이터 시트 페이지 6 BR24T256FV-WE2 데이터 시트 페이지 7 BR24T256FV-WE2 데이터 시트 페이지 8 BR24T256FV-WE2 데이터 시트 페이지 9 BR24T256FV-WE2 데이터 시트 페이지 10 BR24T256FV-WE2 데이터 시트 페이지 11

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BR24T256FV-WE2 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EEPROM
기술EEPROM
메모리 크기256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스I²C
시계 주파수400kHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지5ms
접근 시간-
전압-공급1.6V ~ 5.5V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-LSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지8-SSOPB

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Micron Technology Inc.

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메모리 유형

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메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

256Mb (16M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

52MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

95ns

접근 시간

95ns

전압-공급

2.3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

64-TBGA

공급자 장치 패키지

64-EasyBGA (8x10)

S29GL032N90FFIS32

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

GL-N

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

32Mb (4M x 8, 2M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

90ns

접근 시간

90ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

64-LBGA

공급자 장치 패키지

64-FBGA (13x11)

AT21CS01-STUM13-T

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

1Kb (128 x 8)

메모리 인터페이스

I²C, Single Wire

시계 주파수

125kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23

S29GL064N90BAI040

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

GL-N

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

64Mb (8M x 8, 4M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

90ns

접근 시간

90ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-VFBGA

공급자 장치 패키지

48-FBGA (8.15x6.15)

MT45W1MW16BDGB-701 IT TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

PSRAM

기술

PSRAM (Pseudo SRAM)

메모리 크기

16Mb (1M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

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장착 유형

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