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BR25H160FJ-2CE2

BR25H160FJ-2CE2

참조 용

부품 번호 BR25H160FJ-2CE2
PNEDA 부품 번호 BR25H160FJ-2CE2
설명 IC EEPROM 16K SPI 10MHZ 8SOPJ
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,390
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BR25H160FJ-2CE2 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BR25H160FJ-2CE2
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
BR25H160FJ-2CE2, BR25H160FJ-2CE2 데이터 시트 (총 페이지: 35, 크기: 1,127.13 KB)
PDFBR25H160FJ-2CE2 데이터 시트 표지
BR25H160FJ-2CE2 데이터 시트 페이지 2 BR25H160FJ-2CE2 데이터 시트 페이지 3 BR25H160FJ-2CE2 데이터 시트 페이지 4 BR25H160FJ-2CE2 데이터 시트 페이지 5 BR25H160FJ-2CE2 데이터 시트 페이지 6 BR25H160FJ-2CE2 데이터 시트 페이지 7 BR25H160FJ-2CE2 데이터 시트 페이지 8 BR25H160FJ-2CE2 데이터 시트 페이지 9 BR25H160FJ-2CE2 데이터 시트 페이지 10 BR25H160FJ-2CE2 데이터 시트 페이지 11

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BR25H160FJ-2CE2 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈Automotive, AEC-Q100
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EEPROM
기술EEPROM
메모리 크기16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스SPI
시계 주파수10MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지4ms
접근 시간-
전압-공급2.5V ~ 5.5V
작동 온도-40°C ~ 125°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOP-J

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메모리 크기

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메모리 인터페이스

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시계 주파수

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쓰기주기 시간-단어, 페이지

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작동 온도

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장착 유형

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Winbond Electronics

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

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메모리 크기

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메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O, QPI

시계 주파수

104MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

50µs, 3ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

70V3319S166BF8

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제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Synchronous

메모리 크기

4.5Mb (256K x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.6ns

전압-공급

3.15V ~ 3.45V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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메모리 유형

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메모리 포맷

FLASH

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메모리 크기

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메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

25ns

접근 시간

25ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

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