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BR93L66FVT-WE2

BR93L66FVT-WE2

참조 용

부품 번호 BR93L66FVT-WE2
PNEDA 부품 번호 BR93L66FVT-WE2
설명 IC EEPROM 4K SPI 2MHZ 8TSSOP
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
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BR93L66FVT-WE2 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BR93L66FVT-WE2
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
BR93L66FVT-WE2, BR93L66FVT-WE2 데이터 시트 (총 페이지: 38, 크기: 1,241.79 KB)
PDFBR93L76FJ-WE2 데이터 시트 표지
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BR93L66FVT-WE2 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EEPROM
기술EEPROM
메모리 크기4Kb (256 x 16)
메모리 인터페이스SPI
시계 주파수2MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지5ms
접근 시간-
전압-공급1.8V ~ 5.5V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지8-TSSOP-B

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기술

SDRAM - Mobile LPDDR3

메모리 크기

24Gb (384M x 64)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

933MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.14V ~ 1.95V

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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제조업체

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시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

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기술

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메모리 크기

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메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O

시계 주파수

80MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

100µs, 4ms

접근 시간

-

전압-공급

1.65V ~ 2V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-UFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-USON (2x3)

MT29F64G08AECDBJ4-6IT:D TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

64Gb (8G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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70V7519S133BCI8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Synchronous

메모리 크기

9Mb (256K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

4.2ns

전압-공급

3.15V ~ 3.45V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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AT45DB041E-SHN-T

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제조업체

Adesto Technologies

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

4Mb (264 Bytes x 2048 pages)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

85MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

8µs, 3ms

접근 시간

-

전압-공급

1.65V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

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