BSC0921NDIATMA1
참조 용
| 부품 번호 | BSC0921NDIATMA1 |
| PNEDA 부품 번호 | BSC0921NDIATMA1 |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8 |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 52,740 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 18 - 2월 23 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BSC0921NDIATMA1 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BSC0921NDIATMA1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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BSC0921NDIATMA1 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | OptiMOS™ |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET 기능 | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 17A, 31A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 8.9nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1025pF @ 15V |
| 전력-최대 | 1W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerTDFN |
| 공급자 장치 패키지 | PG-TISON-8 |
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 * FET 유형 - FET 기능 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 PowerTrench® FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 33A, 156A Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.5mOhm @ 33A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 113nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 7940pF @ 20V 전력-최대 2.3W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지 8-Power 5x6 |
