BSD223P
참조 용
| 부품 번호 | BSD223P |
| PNEDA 부품 번호 | BSD223P |
| 설명 | MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363 |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,118 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BSD223P 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BSD223P |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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BSD223P 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | OptiMOS™ |
| FET 유형 | 2 P-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 390mA |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.2V @ 1.5µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 0.62nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 56pF @ 15V |
| 전력-최대 | 250mW |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 공급자 장치 패키지 | PG-SOT363-6 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 7A Rds On (최대) @ Id, Vgs 22mOhm @ 7A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 14nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 1.6W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 PowerPAK® 2x5 공급자 장치 패키지 PowerPAK® (2x5) |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 20A (Tc), 60A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 9.4mOhm @ 6A, 10V, 3.9mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.3V @ 250µA, 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 33nC, 75nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1700pF, 3900pF @ 25V 전력-최대 27W (Tc), 48W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지 PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6.7A, 6.1A Rds On (최대) @ Id, Vgs 22mOhm @ 5.7A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 23nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 850pF @ 10V 전력-최대 1.6W, 1.7W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지 8-TSSOP |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs 33mOhm @ 6.2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 35nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1700pF @ 16V 전력-최대 750mW 작동 온도 - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
제조업체 IXYS 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel, Common Drain FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 54A (Tc), 62A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 24mOhm @ 38A, 10V, 11mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA, 4.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 197nC @ 10V, 104nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1370pF @ 25V, 5080pF @ 25V 전력-최대 89W, 132W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 ISOPLUSi5-Pak™ 공급자 장치 패키지 ISOPLUS i4-PAC™ |
