Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

BSD314SPEL6327HTSA1

BSD314SPEL6327HTSA1

참조 용

부품 번호 BSD314SPEL6327HTSA1
PNEDA 부품 번호 BSD314SPEL6327HTSA1
설명 MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 2,682
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 18 - 4월 23 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BSD314SPEL6327HTSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BSD314SPEL6327HTSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
BSD314SPEL6327HTSA1, BSD314SPEL6327HTSA1 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 414.67 KB)
PDFBSD314SPEL6327HTSA1 데이터 시트 표지
BSD314SPEL6327HTSA1 데이터 시트 페이지 2 BSD314SPEL6327HTSA1 데이터 시트 페이지 3 BSD314SPEL6327HTSA1 데이터 시트 페이지 4 BSD314SPEL6327HTSA1 데이터 시트 페이지 5 BSD314SPEL6327HTSA1 데이터 시트 페이지 6 BSD314SPEL6327HTSA1 데이터 시트 페이지 7 BSD314SPEL6327HTSA1 데이터 시트 페이지 8 BSD314SPEL6327HTSA1 데이터 시트 페이지 9

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

PNEDA는 고품질 전자 부품을 고객에게 빠르고 안정적으로 공급함으로써 업계 리더가되기 위해 노력하고 있습니다.

우리의 접근 방식은 고객에게 다음과 같은 세 가지 주요 이점을 입증하는 데 기반을두고 있습니다.

  • 신속한 대응

    저희 팀은 귀하의 요청에 신속하게 응답하고 귀하의 부품을 찾기 위해 즉시 작업을 시작합니다.

  • 보장 된 품질

    당사의 품질 관리 프로세스는 신뢰성과 성능을 보장하면서 위조품을 보호합니다.

  • 글로벌 액세스

    전 세계적으로 신뢰할 수있는 리소스 네트워크를 통해 필요한 특정 부품을 찾아 제공 할 수 있습니다.

Hot search vocabulary

  • BSD314SPEL6327HTSA1 Datasheet
  • where to find BSD314SPEL6327HTSA1
  • Infineon Technologies

  • Infineon Technologies BSD314SPEL6327HTSA1
  • BSD314SPEL6327HTSA1 PDF Datasheet
  • BSD314SPEL6327HTSA1 Stock

  • BSD314SPEL6327HTSA1 Pinout
  • Datasheet BSD314SPEL6327HTSA1
  • BSD314SPEL6327HTSA1 Supplier

  • Infineon Technologies Distributor
  • BSD314SPEL6327HTSA1 Price
  • BSD314SPEL6327HTSA1 Distributor

BSD314SPEL6327HTSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈OptiMOS™
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)1.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs140mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2V @ 6.3µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs2.9nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds294pF @ 15V
FET 기능-
전력 손실 (최대)500mW (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지PG-SOT363-6
패키지 / 케이스6-VSSOP, SC-88, SOT-363

관심을 가질만한 제품

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

TrenchMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

63A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9.9mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.15V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

13.3nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1565pF @ 12V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

62.5W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

LFPAK56, Power-SO8

패키지 / 케이스

SC-100, SOT-669

NTTFS4928NTAG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.3A (Ta), 37A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

913pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

810mW (Ta), 20.8W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-WDFN (3.3x3.3)

패키지 / 케이스

8-PowerWDFN

BTS110E3045ANTMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

TEMPFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

200mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

600pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SIS452DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

35A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.25mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

41nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1700pF @ 6V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.8W (Ta), 52W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerPAK® 1212-8

패키지 / 케이스

PowerPAK® 1212-8

AUIRLR014NTRL

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

140mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.9nC @ 5V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

265pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

28W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D-PAK (TO-252AA)

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

최근 판매

CJS-1201TB1

CJS-1201TB1

Nidec Copal Electronics

SWITCH SLIDE SPDT 100MA 6V

RB751V40T1G

RB751V40T1G

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 30V 30MA SOD323

MMBD7000-7-F

MMBD7000-7-F

Diodes Incorporated

DIODE ARRAY GP 75V 300MA SOT23-3

TPSD227K006R0100

TPSD227K006R0100

CAP TANT 220UF 10% 6.3V 2917

LTM4608AMPY#PBF

LTM4608AMPY#PBF

Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER 0.6-5V 8A

S-8254AAFFT-TB-G

S-8254AAFFT-TB-G

ABLIC

IC LI-ION BATT PROTECT 16-TSSOP

50ZL560MEFC12.5X25

50ZL560MEFC12.5X25

Rubycon

CAP ALUM 560UF 20% 50V RADIAL

REF02CSZ

REF02CSZ

Analog Devices

IC VREF SERIES 5V 8SOIC

YC324-JK-072KL

YC324-JK-072KL

Yageo

RES ARRAY 4 RES 2K OHM 2012

CS5173EDR8G

CS5173EDR8G

ON Semiconductor

IC REG MULT CONFG ADJ 1.5A 8SOIC

M48Z128Y-85PM1

M48Z128Y-85PM1

STMicroelectronics

IC NVSRAM 1M PARALLEL 32PMDIP

MMBTA42LT3G

MMBTA42LT3G

ON Semiconductor

TRANS NPN 300V 0.5A SOT-23