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BSL211SPL6327HTSA1

BSL211SPL6327HTSA1

참조 용

부품 번호 BSL211SPL6327HTSA1
PNEDA 부품 번호 BSL211SPL6327HTSA1
설명 MOSFET P-CH 20V 4.7A TSOP-6
제조업체 Infineon Technologies
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재고 있음 4,392
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BSL211SPL6327HTSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BSL211SPL6327HTSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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  • BSL211SPL6327HTSA1 Distributor

BSL211SPL6327HTSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈OptiMOS™
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)4.7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs67mOhm @ 4.7A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.2V @ 25µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs12.4nC @ 4.5V
Vgs (최대)±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds654pF @ 15V
FET 기능-
전력 손실 (최대)2W (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지PG-TSOP-6-6
패키지 / 케이스SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

23.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

240mOhm @ 11.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

145nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5500pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

310W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-3PN

패키지 / 케이스

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

30A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

13mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 80µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

69nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1800pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

136W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-TO252-3

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SIR876DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

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FET 유형

N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

40A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.8V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

48nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1640pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

5W (Ta), 62.5W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8

패키지 / 케이스

PowerPAK® SO-8

IRFZ44NL

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

49A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

17.5mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

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드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.7mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

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Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1960pF @ 12V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.31W (Ta), 56.6W (Tc)

작동 온도

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