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BSL306NH6327XTSA1

BSL306NH6327XTSA1

참조 용

부품 번호 BSL306NH6327XTSA1
PNEDA 부품 번호 BSL306NH6327XTSA1
설명 MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 6TSOP
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 6,876
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 15 - 3월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BSL306NH6327XTSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BSL306NH6327XTSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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  • BSL306NH6327XTSA1 Distributor

BSL306NH6327XTSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate, 4.5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)2.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs57mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2V @ 11µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs1.6nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds275pF @ 15V
전력-최대500mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지PG-TSOP-6-6

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

190Ohm @ 10mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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전력-최대

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Infineon Technologies

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Infineon Technologies

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

90mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9.6nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

650pF @ 16V

전력-최대

960mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

6-TSOP

NTMFD5C466NT1G

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

-

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

24mOhm @ 7.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.6V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.2nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

448pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

APTC60HM83FT2G

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FET 유형

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

36A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

83mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 3mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

255nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7290pF @ 25V

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