BSL316CH6327XTSA1
참조 용
| 부품 번호 | BSL316CH6327XTSA1 |
| PNEDA 부품 번호 | BSL316CH6327XTSA1 |
| 설명 | MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A TSOP |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,844 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 12 - 4월 17 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BSL316CH6327XTSA1 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BSL316CH6327XTSA1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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BSL316CH6327XTSA1 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| FET 유형 | N and P-Channel Complementary |
| FET 기능 | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1.4A, 1.5A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 1.4A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2V @ 3.7µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 0.6nC @ 5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 282pF @ 15V |
| 전력-최대 | 500mW |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| 공급자 장치 패키지 | PG-TSOP-6-6 |
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs 250mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 25nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 290pF @ 15V 전력-최대 2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Renesas Electronics America 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능 Logic Level Gate, 4.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 20A Rds On (최대) @ Id, Vgs 20mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 43nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2600pF @ 10V 전력-최대 54W 작동 온도 175°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지 20-HSOP |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 N and P-Channel Complementary FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 450mA (Ta), 310mA (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 990mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 0.5nC @ 4.5V, 0.4nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 27.6pF @ 15V, 28.7pF @ 15V 전력-최대 350mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-963 공급자 장치 패키지 SOT-963 |
제조업체 STMicroelectronics 시리즈 Automotive, AEC-Q101, STripFET™ II FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 45mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 15nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1030pF @ 25V 전력-최대 2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
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