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BSL806NH6327XTSA1

BSL806NH6327XTSA1

참조 용

부품 번호 BSL806NH6327XTSA1
PNEDA 부품 번호 BSL806NH6327XTSA1
설명 MOSFET 2 N-CH 20V 2.3A TSOP6-6
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 2,970
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 9 - 2월 14 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BSL806NH6327XTSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BSL806NH6327XTSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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BSL806NH6327XTSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈OptiMOS™
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate, 1.8V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)2.3A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs57mOhm @ 2.3A, 2.5V
Vgs (th) (최대) @ Id750mV @ 11µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs1.7nC @ 2.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds259pF @ 10V
전력-최대500mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지PG-TSOP-6-6

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20A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

720mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 2.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

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입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

190Ohm @ 10mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

31mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8.3nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

404pF @ 20V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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8-SOIC

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시리즈

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

180A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.5mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

110nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

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장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

17-SMD, Gull Wing

공급자 장치 패키지

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

13.5mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

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