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BSM15GP60BOSA1

BSM15GP60BOSA1

참조 용

부품 번호 BSM15GP60BOSA1
PNEDA 부품 번호 BSM15GP60BOSA1
설명 IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5
제조업체 Infineon Technologies
단가
1 ---------- $1,060.3716
50 ---------- $1,010.6667
100 ---------- $960.9617
200 ---------- $911.2568
400 ---------- $869.8361
500 ---------- $828.4153
재고 있음 4,158
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BSM15GP60BOSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BSM15GP60BOSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈

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  • BSM15GP60BOSA1 Distributor

BSM15GP60BOSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
구성Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)25A
전력-최대100W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.45V @ 15V, 15A
전류-수집기 차단 (최대)500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce-
입력Three Phase Bridge Rectifier
NTC 서미스터Yes
작동 온도-40°C ~ 125°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

225A

전력-최대

675W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 200A

전류-수집기 차단 (최대)

1.8mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

9nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

E3

공급자 장치 패키지

E3

APTGTQ150TA65TPG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

150A

전력-최대

365W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 150A

전류-수집기 차단 (최대)

150µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

9nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

SP6-P

APT35GP120J

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWER MOS 7®

IGBT 유형

PT

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

64A

전력-최대

284W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 35A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.24nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

ISOTOP

공급자 장치 패키지

ISOTOP®

MWI15-12A7

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전력-최대

140W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 15A

전류-수집기 차단 (최대)

900µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

1nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

E2

공급자 장치 패키지

E2

FZ3600R17HP4HOSA2

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

구성

Single Switch

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

3600A

전력-최대

21000W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 3600A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

295nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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