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BSM180D12P2C101

BSM180D12P2C101

참조 용

부품 번호 BSM180D12P2C101
PNEDA 부품 번호 BSM180D12P2C101
설명 MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,424
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예상 배송 2월 1 - 2월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BSM180D12P2C101 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BSM180D12P2C101
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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  • BSM180D12P2C101 Distributor

BSM180D12P2C101 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능Silicon Carbide (SiC)
드레인-소스 전압 (Vdss)1200V (1.2kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)204A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 35.2mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds23000pF @ 10V
전력-최대1130W
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형-
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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FET 유형

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 7.1A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

24nC @ 8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

860pF @ 10V

전력-최대

17.8W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

350mA, 200mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.7Ohm @ 80mA, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.58nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7pF @ 10V

전력-최대

800mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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FET 유형

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FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.6nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

500pF @ 15V, 1188pF @ 15V

전력-최대

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

25A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.4mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

34nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1720pF @ 15V

전력-최대

4.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

100pF @ 25V

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