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BSM50GB170DN2HOSA1

BSM50GB170DN2HOSA1

참조 용

부품 번호 BSM50GB170DN2HOSA1
PNEDA 부품 번호 BSM50GB170DN2HOSA1
설명 IGBT 1700V 72A 500W MODULE
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 7,542
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 25 - 12월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BSM50GB170DN2HOSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BSM50GB170DN2HOSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
BSM50GB170DN2HOSA1, BSM50GB170DN2HOSA1 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 255.04 KB)
PDFBSM50GB170DN2HOSA1 데이터 시트 표지
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  • BSM50GB170DN2HOSA1 Distributor

BSM50GB170DN2HOSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
구성Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1700V
전류-수집기 (Ic) (최대)72A
전력-최대500W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic3.9V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대)-
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce8nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

900A

전력-최대

5100W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 900A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

54nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

FZ400R65KE3NOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

6500V

전류-수집기 (Ic) (최대)

800A

전력-최대

8350W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.4V @ 15V, 400A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

110nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-50°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

APTGT25A120T1G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전력-최대

156W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 25A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

1.8nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP1

공급자 장치 패키지

SP1

IRG7T300CH12B

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

570A

전력-최대

1600W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 300A

전류-수집기 차단 (최대)

4mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

42.4nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

POWIR® 62 Module

공급자 장치 패키지

POWIR® 62

APTGLQ200H65G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Full Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

270A

전력-최대

680W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 200A

전류-수집기 차단 (최대)

75µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

12.2nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

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