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BSM75GAL120DN2HOSA1

BSM75GAL120DN2HOSA1

참조 용

부품 번호 BSM75GAL120DN2HOSA1
PNEDA 부품 번호 BSM75GAL120DN2HOSA1
설명 IGBT 2 MED POWER 34MM-1
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 3,852
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 23 - 4월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BSM75GAL120DN2HOSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BSM75GAL120DN2HOSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈

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BSM75GAL120DN2HOSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
구성Single Switch
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)105A
전력-최대625W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic3V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대)1.4mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce5.5nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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Powerex Inc.

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IGBT 유형

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

300A

전력-최대

890W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 300A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

26.4nF @ 10V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

93A

전력-최대

294W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

1.4mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

4.2nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

ECO-PAC2

공급자 장치 패키지

ECO-PAC2

FZ750R65KE3NOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

6500V

전류-수집기 (Ic) (최대)

750A

전력-최대

14500W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.4V @ 15V, 750A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

205nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-50°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

BSM35GD120DN2E3224BOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전력-최대

280W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 35A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

2nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

VS-GB70NA60UF

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

111A

전력-최대

447W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.44V @ 15V, 70A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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패키지 / 케이스

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