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BSM75GB120DN2HOSA1

BSM75GB120DN2HOSA1

참조 용

부품 번호 BSM75GB120DN2HOSA1
PNEDA 부품 번호 BSM75GB120DN2HOSA1
설명 IGBT 2 MED POWER 34MM-1
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 8,064
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 25 - 11월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BSM75GB120DN2HOSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BSM75GB120DN2HOSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈

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  • BSM75GB120DN2HOSA1 Distributor

BSM75GB120DN2HOSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
구성Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)105A
전력-최대625W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic3V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대)1.5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce5.5nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

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110A

전력-최대

416W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

4.3nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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제조업체

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시리즈

-

IGBT 유형

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구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

500A

전력-최대

1250W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 400A

전류-수집기 차단 (최대)

500µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

24nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

500A

전력-최대

1645W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 300A (Typ)

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

21.2nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Double INT-A-PAK (3 + 4)

공급자 장치 패키지

Double INT-A-PAK

FS50R12KT4B11BOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Full Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전력-최대

280W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

2.8nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

910A

전력-최대

3000W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 600A

전류-수집기 차단 (최대)

4mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

37.2nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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