BSO207PNTMA1
참조 용
| 부품 번호 | BSO207PNTMA1 |
| PNEDA 부품 번호 | BSO207PNTMA1 |
| 설명 | MOSFET 2P-CH 20V 5.7A 8SOIC |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,376 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BSO207PNTMA1 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BSO207PNTMA1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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BSO207PNTMA1 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | OptiMOS™ |
| FET 유형 | 2 P-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 5.7A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 5.7A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.2V @ 40µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 23.4nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1013pF @ 15V |
| 전력-최대 | 2W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 공급자 장치 패키지 | P-DSO-8 |
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs 25mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 37.6nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1790pF @ 20V 전력-최대 1.8W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel, Common Drain FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 9.4A, 6.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs 21mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 17.4nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 751pF @ 10V 전력-최대 2.7W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD 공급자 장치 패키지 TO-252-4L |
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