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BSO330N02KGFUMA1

BSO330N02KGFUMA1

참조 용

부품 번호 BSO330N02KGFUMA1
PNEDA 부품 번호 BSO330N02KGFUMA1
설명 MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8DSO
제조업체 Infineon Technologies
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BSO330N02KGFUMA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BSO330N02KGFUMA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
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BSO330N02KGFUMA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈OptiMOS™
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)5.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.2V @ 20µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs4.9nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds730pF @ 10V
전력-최대1.4W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지PG-DSO-8

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제조업체

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시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11A (Ta), 42A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

14.4mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 25µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

640pF @ 25V

전력-최대

3W (Ta), 37W (Tc)

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.8A, 4.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

45mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

520pF @ 25V

전력-최대

2.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

NTHC5513T1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.9A, 2.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

80mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

180pF @ 10V

전력-최대

1.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

ChipFET™

ALD212908PAL

Advanced Linear Devices Inc.

제조업체

Advanced Linear Devices Inc.

시리즈

EPAD®, Zero Threshold™

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Matched Pair

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

10.6V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

20mV @ 10µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

500mW

작동 온도

0°C ~ 70°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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EPC

시리즈

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FET 유형

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

120V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

60mOhm @ 4A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 700µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.8nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

80pF @ 60V

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