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BSO4804HUMA2

BSO4804HUMA2

참조 용

부품 번호 BSO4804HUMA2
PNEDA 부품 번호 BSO4804HUMA2
설명 MOSFET 2 N-CH 30V 8A DSO8
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 5,346
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BSO4804HUMA2 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BSO4804HUMA2
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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BSO4804HUMA2 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)8A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs20mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2V @ 30µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs17nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds870pF @ 25V
전력-최대2W
작동 온도-55°C ~ 150°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지PG-DSO-8

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드레인-소스 전압 (Vdss)

10.6V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12mA, 3mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

500Ohm @ 3.6V

Vgs (th) (최대) @ Id

360mV @ 1µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2.5pF @ 5V

전력-최대

500mW

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

16A, 46A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 5.85mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.3nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1092pF @ 10V

전력-최대

1.7W, 2.5W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerSMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

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-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Logic Level Gate, 2.5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

23A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.7mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.3V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

75nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

2.5W (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Vishay Siliconix

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

35mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14.5nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

570pF @ 15V

전력-최대

17.8W, 23W

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

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FET 유형

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

205mOhm @ 1.3A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.6V @ 250µA

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