BSP322PH6327XTSA1
참조 용
| 부품 번호 | BSP322PH6327XTSA1 |
| PNEDA 부품 번호 | BSP322PH6327XTSA1 |
| 설명 | MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223 |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 17,040 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 9 - 3월 14 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BSP322PH6327XTSA1 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BSP322PH6327XTSA1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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BSP322PH6327XTSA1 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | SIPMOS® |
| FET 유형 | P-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 100V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 800mOhm @ 1A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1V @ 380µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 16.5nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 372pF @ 25V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 1.8W (Ta) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | PG-SOT223-4 |
| 패키지 / 케이스 | TO-261-4, TO-261AA |
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 14A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 100mOhm @ 8.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 25nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 640pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D-Pak 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 24A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 36mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 120nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1900pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 56W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220AB Full-Pak 패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 PowerTrench® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6.3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 32mOhm @ 6.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 80nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2490pF @ 50V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2.5W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-SOIC 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
제조업체 IXYS 시리즈 TrenchMV™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 85V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 230A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 4.4mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 187nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 9900pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 550W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-3P 패키지 / 케이스 TO-3P-3, SC-65-3 |
