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BSP62H6327XTSA1

BSP62H6327XTSA1

참조 용

부품 번호 BSP62H6327XTSA1
PNEDA 부품 번호 BSP62H6327XTSA1
설명 TRANS PNP DARL 80V 1A SOT223
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 5,724
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 10 - 2월 15 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BSP62H6327XTSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BSP62H6327XTSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일

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BSP62H6327XTSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
트랜지스터 유형PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대)1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic1.8V @ 1mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대)10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce2000 @ 500mA, 10V
전력-최대1.5W
주파수-전환200MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지PG-SOT223-4

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

20V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

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전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

65 @ 1mA, 6V

전력-최대

200mW

주파수-전환

650MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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시리즈

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

700mV @ 200mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

300µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

15 @ 1A, 4V

전력-최대

30W

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

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Rohm Semiconductor

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

20V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 4mA, 20mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

82 @ 10mA, 10V

전력-최대

150mW

주파수-전환

1.5GHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-723

공급자 장치 패키지

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시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

63 @ 150mA, 2V

전력-최대

830mW

주파수-전환

180MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 500mA, 5A

전류-수집기 차단 (최대)

50µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 2.5A, 5V

전력-최대

1W

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