BSS816NWH6327XTSA1
참조 용
| 부품 번호 | BSS816NWH6327XTSA1 |
| PNEDA 부품 번호 | BSS816NWH6327XTSA1 |
| 설명 | MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323 |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 82,614 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 1월 3 - 1월 8 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BSS816NWH6327XTSA1 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BSS816NWH6327XTSA1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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BSS816NWH6327XTSA1 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | OptiMOS™ |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1.4A (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 1.8V, 2.5V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 1.4A, 2.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 0.75V @ 3.7µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 0.6nC @ 2.5V |
| Vgs (최대) | ±8V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 180pF @ 10V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 500mW (Ta) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | PG-SOT323-3 |
| 패키지 / 케이스 | SC-70, SOT-323 |
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 30A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 11mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 15.1nC @ 10V Vgs (최대) +20V, -16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 767pF @ 20V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 15.6W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PowerDI3333-8 패키지 / 케이스 8-PowerVDFN |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 170A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.6V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 280nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 15800pF @ 20V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 90W (Tc) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D²PAK (TO-263) 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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