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BSS87,115

BSS87,115

참조 용

부품 번호 BSS87,115
PNEDA 부품 번호 BSS87-115
설명 MOSFET N-CH 200V 400MA SOT89
제조업체 Nexperia
단가 견적 요청
재고 있음 720,414
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 18 - 2월 23 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BSS87 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BSS87,115
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
BSS87, BSS87 데이터 시트 (총 페이지: 17, 크기: 363.08 KB)
PDFBSS87 데이터 시트 표지
BSS87 데이터 시트 페이지 2 BSS87 데이터 시트 페이지 3 BSS87 데이터 시트 페이지 4 BSS87 데이터 시트 페이지 5 BSS87 데이터 시트 페이지 6 BSS87 데이터 시트 페이지 7 BSS87 데이터 시트 페이지 8 BSS87 데이터 시트 페이지 9 BSS87 데이터 시트 페이지 10 BSS87 데이터 시트 페이지 11

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BSS87 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)400mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs3Ohm @ 400mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.8V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds120pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)580mW (Ta), 12.5W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지SOT-89
패키지 / 케이스TO-243AA

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12A (Ta), 75A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.6mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

31nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1988pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

820mW (Ta), 33W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-WDFN (3.3x3.3)

패키지 / 케이스

8-PowerWDFN

ATP102-TL-H

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

40A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

18.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

34nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1490pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

40W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

ATPAK

패키지 / 케이스

ATPAK (2 leads+tab)

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

TrenchMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

75V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

75A (Tj)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8.5mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8840pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

230W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

TO-220-3

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

800V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

50A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

160mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5.5V @ 8mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

260nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7200pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1135W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PLUS264™

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

제조업체

IXYS

시리즈

TrenchP™

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

85V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

96A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

13mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

180nC @ 10V

Vgs (최대)

±15V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

13100pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

298W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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