BSV236SPH6327XTSA1
참조 용
| 부품 번호 | BSV236SPH6327XTSA1 |
| PNEDA 부품 번호 | BSV236SPH6327XTSA1 |
| 설명 | MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT363 |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 269,598 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 7 - 4월 12 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BSV236SPH6327XTSA1 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BSV236SPH6327XTSA1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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BSV236SPH6327XTSA1 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | OptiMOS™ |
| FET 유형 | P-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1.5A (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 175mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.2V @ 8µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 5.7nC @ 4.5V |
| Vgs (최대) | ±12V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 228pF @ 15V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 560mW (Ta) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | PG-SOT363-6 |
| 패키지 / 케이스 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 120V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 70A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 11.1mOhm @ 70A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 83µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 65nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 4355pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 125W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PG-TO252-3-11 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 2.5Ohm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 14.5nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 500pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 50W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-251 (IPAK) 패키지 / 케이스 TO-251-3 Stub Leads, IPak |
제조업체 IXYS 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 24A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 20V Rds On (최대) @ Id, Vgs 300mOhm @ 500mA, 20V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 160nC @ 20V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2500pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 400W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-247 (IXTH) 패키지 / 케이스 TO-247-3 |
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 OptiMOS™ FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 65mOhm @ 3.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 1.037mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 39nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1600pF @ 30V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.8W (Ta), 4.2W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PG-SOT223-4 패키지 / 케이스 TO-261-4, TO-261AA |
