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BUJ302AX,127

BUJ302AX,127

참조 용

부품 번호 BUJ302AX,127
PNEDA 부품 번호 BUJ302AX-127
설명 TRANS NPN 400V 4A TO-220F
제조업체 WeEn Semiconductors
단가 견적 요청
재고 있음 7,812
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 12 - 4월 17 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BUJ302AX 리소스

브랜드 WeEn Semiconductors
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BUJ302AX,127
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
BUJ302AX, BUJ302AX 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 788.47 KB)
PDFBUJ302AX 데이터 시트 표지
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BUJ302AX 사양

제조업체WeEn Semiconductors
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic1.5V @ 1A, 3.5A
전류-수집기 차단 (최대)250µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce25 @ 800mA, 3V
전력-최대26W
주파수-전환-
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
공급자 장치 패키지TO-220F

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

800mV @ 600mA, 6A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 2A, 2V

전력-최대

50W

주파수-전환

12MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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시리즈

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

150mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V

전력-최대

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주파수-전환

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작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

600mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

10nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

전력-최대

625mW

주파수-전환

200MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

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시리즈

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

160V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

700mV @ 200mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

300µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

15 @ 1A, 4V

전력-최대

2W

주파수-전환

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

110 @ 2mA, 5V

전력-최대

300mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

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