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BUK7107-40ATC,118

BUK7107-40ATC,118

참조 용

부품 번호 BUK7107-40ATC,118
PNEDA 부품 번호 BUK7107-40ATC-118
설명 MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
제조업체 Nexperia
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재고 있음 2,250
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BUK7107-40ATC 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BUK7107-40ATC,118
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
BUK7107-40ATC, BUK7107-40ATC 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 348.41 KB)
PDFBUK7107-40ATC 데이터 시트 표지
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  • BUK7107-40ATC,118 Distributor

BUK7107-40ATC 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)75A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs7mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs108nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds4500pF @ 25V
FET 기능Temperature Sensing Diode
전력 손실 (최대)272W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지SOT-426
패키지 / 케이스TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB

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드레인-소스 전압 (Vdss)

800V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 1.7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 80µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

300pF @ 500V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

6.8W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-SOT223

패키지 / 케이스

TO-261-3

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

CoolMOS™ C7

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

13A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

180mOhm @ 5.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 260µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

24nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1080pF @ 400V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

68W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO220-3-1

패키지 / 케이스

TO-220-3

FM6K62010L

Panasonic Electronic Components

제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

105mOhm @ 1A, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.3V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

280pF @ 10V

FET 기능

Schottky Diode (Isolated)

전력 손실 (최대)

700mW (Ta)

작동 온도

125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

WSMini6-F1-B

패키지 / 케이스

6-SMD, Flat Leads

RQ7E110AJTCR

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9mOhm @ 4.5A, 11V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 10mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

22nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2410pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.5W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.4mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

109nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7300pF @ 25V

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전력 손실 (최대)

214W (Tc)

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