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BUK7507-55B,127

BUK7507-55B,127

참조 용

부품 번호 BUK7507-55B,127
PNEDA 부품 번호 BUK7507-55B-127
설명 MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
제조업체 Nexperia
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BUK7507-55B 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BUK7507-55B,127
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
BUK7507-55B, BUK7507-55B 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 480.89 KB)
PDFBUK7507-55B 데이터 시트 표지
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BUK7507-55B 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈TrenchMOS™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)75A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs7.1mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs53nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds3760pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)203W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-220AB
패키지 / 케이스TO-220-3

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제조업체

Sanken

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

75V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

31A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

13.6mOhm @ 22.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 650µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

36.2nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2520pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

38W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220F

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

N0601N-ZK-E1-AY

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.2mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

133nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7730pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.5W (Ta), 156W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-263

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SI5857DU-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

LITTLE FOOT®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

58mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 10V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

480pF @ 10V

FET 기능

Schottky Diode (Isolated)

전력 손실 (최대)

2.3W (Ta), 10.4W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerPAK® ChipFet Dual

패키지 / 케이스

PowerPAK® ChipFET™ Dual

IRFU420APBF

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.3A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

340pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

83W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-251AA

패키지 / 케이스

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FCI25N60N-F102

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드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

25A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

125mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

74nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3352pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

216W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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