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BUK7624-55,118

BUK7624-55,118

참조 용

부품 번호 BUK7624-55,118
PNEDA 부품 번호 BUK7624-55-118
설명 MOSFET N-CH 55V 45A D2PAK
제조업체 NXP
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BUK7624-55 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BUK7624-55,118
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
BUK7624-55, BUK7624-55 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 57.39 KB)
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BUK7624-55 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈TrenchMOS™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)45A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs24mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
Vgs (최대)±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1500pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)103W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지D2PAK
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Vishay Siliconix

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TrenchFET®

FET 유형

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

34mOhm @ 5.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

36nC @ 8V

Vgs (최대)

±10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.6W (Ta), 2.8W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SC-70-6 (SOT-363)

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

RJK6011DJE-00#Z0

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

52Ohm @ 50mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.7nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

25pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

900mW (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-92MOD

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)

IRF3707SPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

62A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

19nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1990pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

87W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

DMN2050L-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.9A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

29mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.7nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

532pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

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BUK6607-55C,118

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.5mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.8V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

82nC @ 10V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5160pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

158W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK

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