Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

BUK762R9-40E,118

BUK762R9-40E,118

참조 용

부품 번호 BUK762R9-40E,118
PNEDA 부품 번호 BUK762R9-40E-118
설명 MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
제조업체 Nexperia
단가 견적 요청
재고 있음 24,858
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BUK762R9-40E 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BUK762R9-40E,118
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
BUK762R9-40E, BUK762R9-40E 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 715.22 KB)
PDFBUK762R9-40E 데이터 시트 표지
BUK762R9-40E 데이터 시트 페이지 2 BUK762R9-40E 데이터 시트 페이지 3 BUK762R9-40E 데이터 시트 페이지 4 BUK762R9-40E 데이터 시트 페이지 5 BUK762R9-40E 데이터 시트 페이지 6 BUK762R9-40E 데이터 시트 페이지 7 BUK762R9-40E 데이터 시트 페이지 8 BUK762R9-40E 데이터 시트 페이지 9 BUK762R9-40E 데이터 시트 페이지 10 BUK762R9-40E 데이터 시트 페이지 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

PNEDA는 고품질 전자 부품을 고객에게 빠르고 안정적으로 공급함으로써 업계 리더가되기 위해 노력하고 있습니다.

우리의 접근 방식은 고객에게 다음과 같은 세 가지 주요 이점을 입증하는 데 기반을두고 있습니다.

  • 신속한 대응

    저희 팀은 귀하의 요청에 신속하게 응답하고 귀하의 부품을 찾기 위해 즉시 작업을 시작합니다.

  • 보장 된 품질

    당사의 품질 관리 프로세스는 신뢰성과 성능을 보장하면서 위조품을 보호합니다.

  • 글로벌 액세스

    전 세계적으로 신뢰할 수있는 리소스 네트워크를 통해 필요한 특정 부품을 찾아 제공 할 수 있습니다.

Hot search vocabulary

  • BUK762R9-40E,118 Datasheet
  • where to find BUK762R9-40E,118
  • Nexperia

  • Nexperia BUK762R9-40E,118
  • BUK762R9-40E,118 PDF Datasheet
  • BUK762R9-40E,118 Stock

  • BUK762R9-40E,118 Pinout
  • Datasheet BUK762R9-40E,118
  • BUK762R9-40E,118 Supplier

  • Nexperia Distributor
  • BUK762R9-40E,118 Price
  • BUK762R9-40E,118 Distributor

BUK762R9-40E 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs2.9mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs79nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds6200pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)234W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지D2PAK
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

관심을 가질만한 제품

IXFC26N50P

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFET™, PolarHT™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

260mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5.5V @ 4mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

65nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3600pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

130W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

ISOPLUS220™

패키지 / 케이스

ISOPLUS220™

IRF6644

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10.3A (Ta), 60A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

13mOhm @ 10.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.8V @ 150µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

47nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2210pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

DIRECTFET™ MN

패키지 / 케이스

DirectFET™ Isometric MN

IPP70N10S3L12AKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

70A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12.1mOhm @ 70A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 83µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

80nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5550pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

125W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO220-3-1

패키지 / 케이스

TO-220-3

STWA40N60M2

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

MDmesh™ M2

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

34A

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247 Long Leads

패키지 / 케이스

TO-247-3

BFL4037-1E

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

430mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

48.6nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1200pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2W (Ta), 40W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220F-3FS

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

최근 판매

LTM8045IY#PBF

LTM8045IY#PBF

Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER +/-2.5 +/-15V

AMT102-V

AMT102-V

CUI

ROTARY ENCODER INCREMENT PROGPPR

MBRD1035CTLG

MBRD1035CTLG

ON Semiconductor

DIODE ARRAY SCHOTTKY 35V 5A DPAK

SI2301CDS-T1-GE3

SI2301CDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3

NHD-0420CW-AW3

NHD-0420CW-AW3

Newhaven Display Intl

4X20 WHITE SLIM CHARACTER OLED

W25Q64JVSFIQ

W25Q64JVSFIQ

Winbond Electronics

IC FLASH 64M SPI 133MHZ 16SOIC

MT25QU512ABB8ESF-0SIT

MT25QU512ABB8ESF-0SIT

Micron Technology Inc.

IC FLASH 512M SPI 133MHZ 16SOIC

74LCX125MTC

74LCX125MTC

ON Semiconductor

IC BUF NON-INVERT 3.6V 14TSSOP

WSL20108L000FEA

WSL20108L000FEA

Vishay Dale

RES 0.008 OHM 1% 1/2W 2010

W25Q256JVCIQ

W25Q256JVCIQ

Winbond Electronics

IC FLASH 256M SPI 24TFBGA

MAX97220AETE+

MAX97220AETE+

Maxim Integrated

IC AMP AUD.13W STER AB 16TQFN

A2557SLBTR-T

A2557SLBTR-T

Allegro MicroSystems, LLC

IC DRIVER QUAD 60V 300MA 16SOIC