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BUK7K45-100EX

BUK7K45-100EX

참조 용

부품 번호 BUK7K45-100EX
PNEDA 부품 번호 BUK7K45-100EX
설명 MOSFET 2N-CH 100V 21.4A LFPAK56
제조업체 Nexperia
단가 견적 요청
재고 있음 2,790
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BUK7K45-100EX 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BUK7K45-100EX
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
BUK7K45-100EX, BUK7K45-100EX 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 716.15 KB)
PDFBUK7K45-100EX 데이터 시트 표지
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BUK7K45-100EX 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)21.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs37.6mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs25.9nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1533pF @ 25V
전력-최대53W
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-1205, 8-LFPAK56
공급자 장치 패키지LFPAK56D

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.6A (Ta), 15A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

22mOhm @ 10A, 5V, 8mOhm @ 10A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 250µA, 1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.7nC @ 4.5V, 8nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

481pF @ 15V, 996pF @ 15V

전력-최대

1.96W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerLDFN

공급자 장치 패키지

PowerDI3333-8 (Type D)

MCH6602-TL-E

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

350mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.7Ohm @ 80mA, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.58nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7pF @ 10V

전력-최대

800mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

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APTM50DHM38G

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시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

90A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

45mOhm @ 45A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

246nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

11200pF @ 25V

전력-최대

694W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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Diodes Incorporated

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Diodes Incorporated

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2 N-Channel (Dual)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.6A (Ta), 15A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

22mOhm @ 10A, 5V, 8mOhm @ 10A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 250µA, 1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.7nC @ 4.5V, 8nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

481pF @ 15V, 996pF @ 15V

전력-최대

1.96W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

47A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

45mOhm @ 44A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 3mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

190nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6800pF @ 100V

전력-최대

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