BUK7K8R7-40EX
참조 용
| 부품 번호 | BUK7K8R7-40EX |
| PNEDA 부품 번호 | BUK7K8R7-40EX |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 40V 30A 56LFPAK |
| 제조업체 | Nexperia |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,078 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 5월 1 - 5월 6 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BUK7K8R7-40EX 리소스
| 브랜드 | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BUK7K8R7-40EX |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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BUK7K8R7-40EX 사양
| 제조업체 | Nexperia USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 40V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 30A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 8.5mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 21.8nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1439pF @ 25V |
| 전력-최대 | 53W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SOT-1205, 8-LFPAK56 |
| 공급자 장치 패키지 | LFPAK56D |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 16A, 40A Rds On (최대) @ Id, Vgs 6.4mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 26nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1208pF @ 15V 전력-최대 22.7W, 100W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지 8-PowerPair® (6x5) |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 12V, 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6A, 3.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs 25mOhm @ 5.2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 18.5nC @ 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 787pF @ 6V 전력-최대 1.36W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 U-DFN2020-6 (Type B) |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 OptiMOS™ FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 880mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 400mOhm @ 880mA, 2.5V Vgs (th) (최대) @ Id 750mV @ 1.6µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 0.26nC @ 2.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 78pF @ 10V 전력-최대 500mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 PG-SOT363-6 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 11A (Ta), 42A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 14.4mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.2V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 4.7nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 640pF @ 25V 전력-최대 3W (Ta), 37W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
제조업체 Transphorm 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능 GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 70A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 34mOhm @ 30A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 28nC @ 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2260pF @ 100V 전력-최대 470W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 Module 공급자 장치 패키지 Module |
